深圳市宝芯创电子有限公司

STP26NM60N TO220 ST场效应管
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
工作温度
- 55 C
工作温度
%2B 150 C
Pd-功率耗散
140 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
下降时间
50 ns
上升时间
25 ns
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STP26NM60N
STP26NM60N TO220 ST
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STP26NM60N TO220 ST