深圳市宝芯创电子有限公司

STW70N60M2 TO-247 ST 场效应管
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
118 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 W
配置
Single
系列
STW70N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
9 ns
上升时间
17 ns
典型关闭延迟时间
155 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
38 g
可售卖地
全国
型号
STW70N60M2
STW70N60M2 TO-247 ST 场效应管
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