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供应 2N7002NXBKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管
供应 2N7002NXBKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管
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供应 2N7002NXBKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管

型号:

2N7002NXBKR

封装:

SOT-23

品牌:

Nexperia(安世)

批次:

新批号

数量:

6000

  • 产品信息

  • 参数

品牌: NEXPERIA/安世
型号: 2N7002NXBKR
封装: SOT-23
批号: 新批号
数量: 6000
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 270 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 1 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 2.9 ns
上升时间: 4.3 ns
晶体管类型: 6.9 ns
典型关闭延迟时间: 4.7 ns
典型接通延迟时间: 934661282215

2N7002NXBKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管

2N7002NXBKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管

2N7002NXBKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管
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型号:

2N7002NXBKR

封装:

SOT-23

品牌:

Nexperia(安世)

批次:

新批号

数量:

6000