产品信息
参数
品牌: ON/安森美
型号: FDMS3669S
封装: QFN8
批号: 新批号
数量: 6000
描述: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限)
原厂标准交货期: 16 周
详细描述: MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)非对称型-30V-13A-18A-1W-表面贴装型-Power56
数据列表: FDMS3669S;
标准包装: 3,000
包装: 标准卷带
零件状态: 有源
类别: 分立半导体产品
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列: PowerTrench?
其它名称: FDMS3669STR
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,18A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值): 10 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值): 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值): 24nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值): 1605pF @ 15V
功率 - 大值: 1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: Power56
FDMS3669S Power-56-8 onsemi(安森美) 场效应管
FDMS3669S Power-56-8 onsemi(安森美) 场效应管
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FDMS3669S
Power-56-8
onsemi(安森美)
新批号
6000